آموزش تعميرات موبايل در تهران

می 28, 2018

عملکرد ترانزیستور

آموزش تعمیرات موبایل 28 آموزش تعمیرات موبایل 28 عملکرد ترانزیستور ترانزیستور از دیدگاه مداری یک عنصر سه پایه می باشد که با اعمال یک سیگنال به یکی از پایه های آن میزان جریان عبور کننده از دو پایه دیگر آن را می توان تنظیم کرد 1 برای عملکرد صحیح ترانزیستور در مدار باید توسط المان های دیگر مانند مقاومت ها و… جریان ها و ولتاژ های لازم را برای آن فراهم کرد و یا اصطلاحاً آن را بایاس کرد. انوع ترانزیستور ها و سمبل مداری آن ها   – ترانزیستور BJT تیپ مثبت PNP با شماتیک                                              – ترانزیستور BJT تیپ منفی NPN با شماتیک                                          – ترانزیستور UJT ) uni Junction transistor ) – ترانزیستور اثر میدان ( field effect transistor ) FET نوع مثبت با شماتیک   – ترانزیستور اثر میدان NFET نوع منفی با شماتیک                                   ترانزیستورها در الکترونیک عمومی همانطور که از […]
می 29, 2018

نحوه تغذیه ترانزیستور

آموزش تعمیرات موبایل 29 آموزش تعمیرات موبایل 29 نحوه تغذیه ترانزیستور برای آن که ترانزیستور بتواند به درستی عمل تقویت را انجام دهد، ابتدا باید توسط یه ولتاژ DC به درستی تغذیه گردد. نام گذاری های زیر در مورد پارامتر های ترانزیستور معمول هستند: ولتاژ بین پایه های بیس و امیتر : 𝑉𝐵𝐸 ولتاژ بین پایه های کلکتور و امیتر : 𝑉𝐶𝐸 جریان گذرنده از پایه بیس : 𝐼𝐵 جریان گذرنده از پایه کلکتور : 𝐼𝐶 جریان گذرنده از پایه امیتر : IE بین این پارامتر ها روابطی وجود دارد که مورد این بحث نیست. مثلا برای این که ترانزیستور روشن شود بایدV 1.1 = 𝑉𝐵𝐸 یا مثلا 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 =IE تست ترانزیستور و یافتن پایه های آن از آن جا که تست دیود بسیار ساده و راحت است، برای ترانزیستور از مدار معادل دیودی آن استفاده می کنیم.ابتدا با روش صحیح و خطا پایه بیس را پیدا می کنیم.بیس پایه ای است که نسبت به دو پایه دیگر مشترک بوده و راه می دهد. از بین دو پایه دیگر، پایه ای که مقاومت بیشتری نسبت به بیس نشان می دهد امیتر و پایه ای که مقاومت کمتری نشان می دهدکلکتور می باشد. همچنین با توجه به معادل دیودی […]
می 30, 2018

ترانزیستور اثر میدان ( FET )

آموزش تعمیرات موبایل 30 آموزش تعمیرات موبایل 30 ترانزیستور اثر میدان ( FET ) در این قطعه، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمیکند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی، جریان عبوری از FET کنترل میشود. پس جریان ورودی گیت آن ها صفر است. این ترانزیستور ها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند. این ترانزیستور ها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا به راحتی مجتمع میشوند و فضای کمتری  اشغال میکنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند. البته نقطه کار این ترانزیستور ها نسبت به دما حساس است و تغییر میکند. فت دارای سه پایه با نامهای درین ( D )، سورس ( S ) و گیت ( G ) است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل مینماید. FET ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک میگردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. برای تست FET ها از مولتی متر روی رنج بازر استفاده می کنیم. نخست پایه گیت را پیدا میکنیم. یعنی پایهای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت […]
ژوئن 2, 2018

اثر تداخل الکترومغناطیسی

آموزش تعمیرات موبایل 32 اثر تداخل الکترومغناطیسی ( EMI ) یکی از عوامل ایجاد پارازیت در سیستم های مخابراتی و دیجیتالی، تداخل الکترومغناطیسی یا EMI می باشد. هرگاه از دو هادی که در مجاورت یکدیگر قرار گرفته اندجریان عبور کند، پدیده القای متقابل صورت گرفته و هر کدام بر دیگری نیرو وارد می کنند.تداخل EMI ناشی از این خاصیت ذاتی هادی ها می باشد. هر چه فاصله نوار های مسی نزدیک تر باشند( مانند برد موبایل ) نیروی القایی بیشتر می باشد. شدت اثر تداخل در فرکانس های پایین قابل چشم پوشی می باشد، اما نمی توان از اثرات آن در فرکانس های بالا به راحتی گذشت. قرار دادن خط منفی ( GND ) در کنار هر سیگنال، تا حدود زیادی آن سیگنال را در برابر EMI حفاظت می کند. تداخل EMI منجر به ایجاد جریان های گذرا و از دست رفتن یا مورد تاثیر قرار گرفتن اطلاعات مورد پردازش در مدار می شود و در نتیجه اطلاعات صحت خود را از دست می دهند. برای مقابله با این پدیده در برد ها از فیلتر های حذف EMI استفاده می کنند. غالب این فیلتر ها یه شکل IC بر روی برد دیده می شوند. اثر تخلیه الکترواستاتیک ( ESD ) […]

گفتگو زنده

)
    is typing...

    ما الان آنلاین نیستیم. متن پیام خود را از طریق فرم زیر برای ما ارسال کنید

    ارسال پیام لغو