آموزش تعميرات موبايل و تبلت

05/30/2018

ترانزیستور اثر میدان ( FET )

ترانزیستور اثر میدان ( FET ) در این قطعه، پایه کنترلی آن جریانی مصرف نمیکند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه هادی، جریان عبوری از FET کنترل میشود. پس جریان ورودی گیت آن ها صفر است. این ترانزیستور ها دارای دو نوع PMOS و NMOS هستند. این ترانزیستور ها امروزه بسیار کاربرد دارند زیرا به راحتی مجتمع میشوند و فضای کمتری  اشغال میکنند. همچنین مصرف توان بسیار ناچیزی دارند. البته نقطه کار این ترانزیستور ها نسبت به دما حساس است و تغییر میکند. فت دارای سه پایه با نامهای درین ( D )، سورس ( S ) و گیت ( G ) است که پایه گیت، جریان عبوری از درین به سورس را کنترل مینماید. FET ها معمولاً بسیار حساس بوده و حتی با الکتریسیته ساکن بدن نیز تحریک میگردند. به همین دلیل نسبت به نویز بسیار حساس هستند. برای تست FET ها از مولتی متر روی رنج بازر استفاده می کنیم. نخست پایه گیت را پیدا میکنیم. یعنی پایهای که نسبت به دو پایه دیگر در یک جهت مقداری رسانایی دارد و در جهت دیگر مقاومت آن بی نهایت است. معمولاً مقاومت بین پایه درین و گیت از مقاومت پایه درین و سورس بیشتر است […]
05/31/2018

مدار های مجتمع یا آی سی ( IC )

مدار های مجتمع یا آی سی ( IC ) مدارهای الکترونیکی شامل طبقه های مختلفی هستند. اغلب این مدارها شامل طبقه های تقویت کننده، فیلترها، اگر دیجیتال باشند گیت ها، اگر مخابراتی باشند شامل مدولاسیون و دمدولاسیون و … می باشند. گاهی اوقات اگر بخواهیم یک طبقه مثلا شمارنده دیجیتال، مانند آنچه در چراغ های راهنمایی و رانندگی می بینیم با المان های معمولی مثل دیود، ترانزیستور، مقاومت، خازن و … بسازیم حجم بسیار زیادی می گیرد و از طرف دیگر این مدار آن قدر پر کاربرد است که در چندین دستگاه دیگر استفاده می شود. به همین علت تعداد زیادی از این مدار ها را به شکل مدار های مجتمع یا آی سی ها از پیش ساخته اند تا حجم کمتری گرفته و کار کردن با آنها راحت تر باشد. در توضیح کمتر شدن حجم مدارها به وسیله آی سی ها همین بس که تخمین زده اند که اگر CPU کامپیوتر را که یک آی سی با حجم کم است بخواهند با المان های معمولی درست کنند وسعتی به اندازه یک شهر خواهد داشت. معایب آی سی ها از معایب آن ها می توان انعطاف پذیری کمو محدودیت های موجود در عملکرد آن را ذکر نمود. از جمله محدودیت […]
06/02/2018

اثر تداخل الکترومغناطیسی | اثر تخلیه الکترواستاتیک

اثر تداخل الکترومغناطیسی | اثر تخلیه الکترواستاتیک اثر تداخل الکترومغناطیسی ( EMI ) یکی از عوامل ایجاد پارازیت در سیستم های مخابراتی و دیجیتالی، تداخل الکترومغناطیسی یا EMI می باشد. هرگاه از دو هادی که در مجاورت یکدیگر قرار گرفته اندجریان عبور کند، پدیده القای متقابل صورت گرفته و هر کدام بر دیگری نیرو وارد می کنند.تداخل EMI ناشی از این خاصیت ذاتی هادی ها می باشد. هر چه فاصله نوار های مسی نزدیک تر باشند( مانند برد موبایل ) نیروی القایی بیشتر می باشد. شدت اثر تداخل در فرکانس های پایین قابل چشم پوشی می باشد، اما نمی توان از اثرات آن در فرکانس های بالا به راحتی گذشت. قرار دادن خط منفی ( GND ) در کنار هر سیگنال، تا حدود زیادی آن سیگنال را در برابر EMI حفاظت می کند. تداخل EMI منجر به ایجاد جریان های گذرا و از دست رفتن یا مورد تاثیر قرار گرفتن اطلاعات مورد پردازش در مدار می شود و در نتیجه اطلاعات صحت خود را از دست می دهند. برای مقابله با این پدیده در برد ها از فیلتر های حذف EMI استفاده می کنند. غالب این فیلتر ها یه شکل IC بر روی برد دیده می شوند. اثر تخلیه الکترواستاتیک […]

گفتگو زنده

)
    is typing...

    ما الان آنلاین نیستیم. متن پیام خود را از طریق فرم زیر برای ما ارسال کنید

    ارسال پیام لغو